日期:2022-12-07
佳能將于2023年1月上旬發售面向后道工藝的半導體光刻機新產品——i線※1步進式光刻機“FPA-5520iV LF2 Option”。該產品通過0.8μm(微米※2)的高解像力和拼接曝光技術,使100×100mm的超大視場曝光成為可能,進一步推動3D封裝技術的發展。
FPA-5520iV LF2 Option
通過半導體芯片層疊而
實現高性能的3D技術(示意圖)
將四個曝光shot拼接,
形成一個大型封裝(4shot×4個)
為了提高半導體芯片的性能,不僅在半導體制造的前道工藝中實現電路的微細化十分重要,在后道工藝的高密度封裝也備受關注,而實現高密度的先進封裝則對精細布線提出了更高要求。同時,近年來半導體光刻機得到廣泛應用,這一背景下,半導體器件性能的提升,需要通過將多個半導體芯片緊密相連的2.5D技術※3及半導體芯片層疊的3D※4技術來實現。
新產品是通過0.8μm的高解像力和曝光失真較小的4個shot拼接曝光,使100×100mm的超大視場曝光成為可能,從而實現2.5D和3D技術相結合的超大型高密度布線封裝的量產。
與以往機型“FPA-5520iV LF Option”(2021年4月發售)相比,本次發售的新產品能夠將像差抑制至四分之一以下。新產品搭載全新的投射光學系統、采用照度均一性更佳的照明光學系統,以及0.8μm的解像力和拼接曝光技術,能夠在前一代產品52x68mm大視場的基礎上,實現向100×100mm超大視場的提升。
新產品同時也繼承了半導體光刻機“FPA-5520iV”的多項基本性能。例如可以靈活應對再構成基板※5翹曲等在封裝工藝中對量產造成阻礙的問題,以及在芯片排列偏差較大的再構成基板上測出Alignment mark,從而提高生產效率。
在面向半導體芯片制造的前道工藝和后道工藝中,佳能在不斷擴充搭載先進封裝技術的半導體光刻機產品陣營,持續為半導體設備的技術創新做出貢獻。
〈新產品特征〉
1.通過新投射光學系統和照明光學系統的提升,實現0.8μm的高解像力和拼接曝光超大視場
變像像差的改善(示意圖)
前道工藝的標準視場26×33mm
52×68mm曝光(新產品)
50x50mm 4shot拼接曝光(新產品)
曝光視場示例
2.繼承FPA-5520iV的基本性能.
〈什么是半導體制造的后道工藝〉
在半導體芯片的制造工藝中,半導體光刻機負責“曝光”電路圖案。在曝光的一系列工藝中,在硅晶圓上制造出半導體芯片的工藝稱為前道工藝。另一方面,保護精密的半導體芯片不受外部環境的影響,并在安裝時實現與外部的電氣連接的封裝工藝稱為后道工藝。
〈關于半導體光刻機解說的網站〉
我們發布了“佳能光刻機網站”,通過圖片和視頻等易于理解的方式說明“光刻機”的原理和性能。此外,我們還面向青少年專門開設了一個頁面,幫助他們理解曝光的原理。
〈半導體光刻機的市場動向〉
近年來,隨著物聯網的飛速發展,以及受新冠疫情影響使遠程辦公和在線活動持續增加,市場對各種半導體器件的需求也在提升。在這種情況下,除芯片精細化以外,封裝的高密度布線也被認為是實現高性能的技術之一??梢灶A見,隨著對更高性能半導體器件的先進封裝需求的增加,后道工藝中的半導體光刻機市場將繼續擴大。(佳能調研)
先進封裝技術--2.5D技術與3D技術示意圖
〈關于產品規格〉
有關產品規格的詳細信息,請參考佳能主頁。
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